Datasheet下载- 型号： MMBF5457LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF5457LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF5457LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBF5457LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBF5457LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF5457LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF5457LT1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小型表面贴装器件，广泛应用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大器：由于JFET具有较低的噪声系数，MMBF5457LT1G常用于前置放大器、音频放大器和传感器信号调理电路中，特别是在微弱信号放大的场合，如医疗设备、精密测量仪器等。 2. 射频（RF）电路：该器件具备良好的高频特性，适用于射频放大器、接收机前端和无线通信模块，常见于无线传感、物联网（IoT）设备及便携式通信设备中。 3. 模拟开关与增益控制：利用JFET的电压控制特性，可用于构建模拟开关或可变增益放大器，在自动增益控制（AGC）电路中发挥重要作用。 4. 高输入阻抗电路：在需要高输入阻抗的电路设计中，如示波器探头、电荷放大器或光电探测器接口，MMBF5457LT1G能有效减少信号源负载，提升系统精度。 5. 便携式电子设备：因其采用SOT-23封装，体积小、功耗低，适合用于手机、平板、可穿戴设备等空间受限的电子产品中。 综上，MMBF5457LT1G凭借其低噪声、高输入阻抗和小型化优势，广泛应用于消费电子、工业控制、通信和精密仪器等领域，特别适合对信号保真度要求较高的模拟前端设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 25V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF5457LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF5457LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 25V |
| 电阻-RDS（开） | - |
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