Datasheet下载- 型号： MMBF4391LT1
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBF4391LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBF4391LT1价格参考。ON SemiconductorMMBF4391LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBF4391LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBF4391LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBF4391LT1 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 JFET（结型场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型晶体管，具有低噪声、高输入阻抗和快速开关速度的特点。以下是其主要应用场景： 1. 音频信号放大 - MMBF4391LT1 的高输入阻抗和低噪声特性使其非常适合用于音频信号的前置放大器。它能够处理微弱的音频信号并进行放大，而不会引入过多的噪声，适用于高质量的音频设备。 2. 射频（RF）电路 - 由于其低噪声特性和良好的线性性能，该晶体管常用于射频电路中的信号放大和混频器设计。它在高频应用中表现出色，适合无线通信设备、收音机等场景。 3. 开关电路 - MMBF4391LT1 可用作电子开关，控制小功率负载的通断。它的快速开关速度和低导通电阻使其在需要高效切换的应用中表现良好，例如电源管理或信号路由。 4. 传感器信号调理 - 在传感器系统中，JFET 的高输入阻抗特性可以避免对传感器输出信号造成负载影响。MMBF4391LT1 常用于将传感器的微弱信号放大到可测量的范围。 5. 数据采集系统 - 该晶体管可用于构建数据采集系统的前端电路，例如缓冲放大器或滤波器。其低噪声和高精度特性有助于提高数据采集的准确性。 6. 振荡器和定时电路 - MMBF4391LT1 可用于设计 RC 或 LC 振荡器以及定时电路，提供稳定的频率输出或精确的时间延迟。 7. 便携式设备 - 因其低功耗和小型封装（如 SOT-23），该晶体管非常适合用于电池供电的便携式设备，例如手持无线电、音频播放器或其他低功耗电子产品。 总结来说，MMBF4391LT1 主要应用于需要低噪声、高输入阻抗和快速响应的场合，广泛覆盖音频、射频、传感器、电源管理和数据采集等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 30V 225MW SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBF4391LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 4V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBF4391LT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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