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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PF5102由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PF5102价格参考。Fairchild SemiconductorPF5102封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PF5102参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PF5102 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PF5102 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 JFET(结型场效应晶体管)。该型号主要应用于低功耗、高阻抗和模拟信号处理领域,其应用场景包括: 1. 音频放大器: PF5102 由于其高输入阻抗和低噪声特性,非常适合用于音频前置放大器电路。它可以有效放大微弱的音频信号,同时保持较低的失真。 2. 开关电路: 作为 N 沟道 JFET,PF5102 可以用作模拟开关或电子开关。它在导通时具有较低的导通电阻,在关断时提供高阻抗隔离,适用于需要低功耗和快速切换的应用。 3. 信号调节: 在传感器信号调节电路中,PF5102 的高阻抗输入特性可以防止对敏感信号源造成负载影响,适合用于数据采集系统中的信号调理模块。 4. 电源管理: PF5102 可用于简单的电压调节或电流限制电路,特别是在需要精确控制小电流的场景下,例如电池供电设备或便携式电子产品。 5. 振荡器与定时电路: 利用 JFET 的非线性特性和栅极-源极之间的二极管行为,PF5102 可设计为振荡器的核心元件,广泛应用于定时器、脉冲发生器等电路。 6. 射频(RF)电路: PF5102 的高频特性和低寄生电容使其适用于某些射频应用,如低噪声放大器或混频器前端。 7. 保护电路: 它可以用作过压保护或限流保护器件,通过调整栅极偏置来实现动态控制,从而保护后续电路免受异常电压或电流的影响。 总之,PF5102 凭借其优异的性能参数(如低漏电流、高输入阻抗和宽工作温度范围),成为许多低功耗、高精度电子设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | JFET N-CH 40V 625MW TO92JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise |
产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
FET类型 | N 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,JFET,Fairchild Semiconductor PF5102- |
数据手册 | |
产品型号 | PF5102 |
Pd-PowerDissipation | 625 mW |
Pd-功率耗散 | 625 mW |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
Vgs=0时的漏-源电流 | 5 mA to 15 mA |
不同Id时的电压-截止(VGS关) | 700mV @ 1nA |
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 4nA @ 15V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16pF @ 15V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | JFET |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
其它名称 | PF5102-ND |
功率-最大值 | 625mW |
功率耗散 | 625 mW |
包装 | 散装 |
单位重量 | 201 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 2,000 |
正向跨导-最小值 | 0.0035 S |
漏极电流(Id)-最大值 | - |
漏源极电压(Vdss) | - |
电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
电阻-RDS(开) | - |
系列 | PF5102 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 40 V |
闸/源截止电压 | - 1.6 V |