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  • 型号: PMBFJ112,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMBFJ112,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ112,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ112,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ112,215封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 40V 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ112,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBFJ112,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 40V 300MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

Id-连续漏极电流

5 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBFJ112,215-

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产品型号

PMBFJ112,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

50 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 40 V

Vgs=0时的漏-源电流

5 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

5V @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

5mA @ 15V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6pF @ 10V(VGS)

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6481-6

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

50 Ohms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

JFET

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

40V

漏源电压VDS

40 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

40V

电阻-RDS(开)

50 欧姆

类型

Silicon

配置

Single

闸/源击穿电压

- 40 V

闸/源截止电压

- 5 V to - 1 V

零件号别名

PMBFJ112 T/R

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