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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH30N60B4由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH30N60B4价格参考。IXYSIXGH30N60B4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGH30N60B4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH30N60B4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGH30N60B4是一款晶体管,属于超快沟道MOSFET(UGBT,Ultrafast Trench MOSFET),主要用于高频开关和高功率应用。以下是其典型应用场景: 1. 电源转换: IXGH30N60B4适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器等场景。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其在高效能量转换中表现出色。 2. 电机驱动: 该器件可用于工业电机驱动、伺服系统和变频器中。其高耐压(600V)和大电流能力(30A)适合控制高功率电机的启动、停止和调速。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,IXGH30N60B4可以实现高效的直流到交流转换,支持可再生能源系统的电力输出。 4. 电动车与电动工具: 由于其高耐用性和快速开关性能,该MOSFET适用于电动车驱动系统、电动工具以及电池管理系统(BMS)。 5. 脉冲宽度调制(PWM): 在需要精确控制电压或电流的PWM电路中,IXGH30N60B4能够提供稳定的开关性能和低损耗。 6. 焊接设备: 高功率焊接机需要快速响应和高效能量传输,IXGH30N60B4满足这些需求,确保稳定运行。 7. 电磁兼容性(EMC)滤波器: 在高频应用中,该MOSFET有助于减少开关噪声并提高系统的电磁兼容性。 总结来说,IXGH30N60B4凭借其600V的击穿电压、30A的连续漏极电流和快速开关速度,非常适合用于高功率、高频开关的应用场合,广泛应用于工业、能源、交通和消费电子领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 21ns/200ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 156A |
描述 | IGBT 600V 66A 190W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 77nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXGH30N60B4 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 440µJ (开), 700µJ (关) |
TestCondition | 400V,24A,10 欧姆,15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V,24A |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXGH) |
功率-最大值 | 190W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 66A |
输入类型 | 标准 |