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  • 型号: IXGH30N60B4
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH30N60B4由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH30N60B4价格参考。IXYSIXGH30N60B4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGH30N60B4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH30N60B4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXGH30N60B4是一款晶体管,属于超快沟道MOSFET(UGBT,Ultrafast Trench MOSFET),主要用于高频开关和高功率应用。以下是其典型应用场景:

1. 电源转换:  
   IXGH30N60B4适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC转换器等场景。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其在高效能量转换中表现出色。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于工业电机驱动、伺服系统和变频器中。其高耐压(600V)和大电流能力(30A)适合控制高功率电机的启动、停止和调速。

3. 逆变器:  
   在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,IXGH30N60B4可以实现高效的直流到交流转换,支持可再生能源系统的电力输出。

4. 电动车与电动工具:  
   由于其高耐用性和快速开关性能,该MOSFET适用于电动车驱动系统、电动工具以及电池管理系统(BMS)。

5. 脉冲宽度调制(PWM):  
   在需要精确控制电压或电流的PWM电路中,IXGH30N60B4能够提供稳定的开关性能和低损耗。

6. 焊接设备:  
   高功率焊接机需要快速响应和高效能量传输,IXGH30N60B4满足这些需求,确保稳定运行。

7. 电磁兼容性(EMC)滤波器:  
   在高频应用中,该MOSFET有助于减少开关噪声并提高系统的电磁兼容性。

总结来说,IXGH30N60B4凭借其600V的击穿电压、30A的连续漏极电流和快速开关速度,非常适合用于高功率、高频开关的应用场合,广泛应用于工业、能源、交通和消费电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

21ns/200ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

156A

描述

IGBT 600V 66A 190W TO247

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

77nC

IGBT类型

PT

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXGH30N60B4

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

440µJ (开), 700µJ (关)

TestCondition

400V,24A,10 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.7V @ 15V,24A

供应商器件封装

TO-247AD (IXGH)

功率-最大值

190W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

66A

输入类型

标准

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