Datasheet下载- 型号： HGTP12N60A4
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HGTP12N60A4由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTP12N60A4价格参考。Fairchild SemiconductorHGTP12N60A4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HGTP12N60A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGTP12N60A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的HGTP12N60A4是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：HGTP12N60A4具有低导通电阻和高击穿电压（600V），非常适合用于开关电源中的高频开关应用，能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机控制：在电机驱动和控制电路中，该MOSFET可以作为开关器件，用于调节电机的速度和方向，适用于各种类型的电机，如直流无刷电机（BLDC）和步进电机。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，HGTP12N60A4可以用作功率转换的核心元件，将直流电转换为交流电，以供家庭或工业使用。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车和储能系统中，该MOSFET可用于电池保护和管理，确保电池组的安全运行和高效充放电。 5. DC-DC转换器：在需要高效电压转换的应用中，HGTP12N60A4可以用于降压或升压转换器，提供稳定的输出电压。 6. 家电和工业设备：在各类家用电器和工业设备中，如空调、洗衣机、冰箱等，该MOSFET可以用于功率控制和节能设计。 7. 负载切换：在需要快速切换负载的应用中，HGTP12N60A4可以提供高效的开关性能，适用于各种电子设备的电源管理。 HGTP12N60A4的高耐压能力和低导通电阻使其成为许多高功率和高效率应用的理想选择，同时其紧凑的设计也有助于节省空间和降低成本。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17ns/96ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 96A |
| 描述 | IGBT 600V 54A 167W TO220AB |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 78nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HGTP12N60A4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 55µJ （开）， 50µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，12A |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | HGTP12N60A4_NL |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 54A |
| 输入类型 | 标准 |
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