Datasheet下载- 型号： NGTB50N120FL2WG
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB50N120FL2WG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB50N120FL2WG价格参考。ON SemiconductorNGTB50N120FL2WG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGTB50N120FL2WG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB50N120FL2WG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB50N120FL2WG是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：适用于各种开关模式电源的设计，如AC-DC或DC-DC转换器，能够提供高效的功率转换。 - 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，实现直流到交流的高效转换。 - 稳压器：在电压调节电路中充当开关元件，确保输出电压的稳定性。 2. 电机驱动 - 工业电机控制：用于工业自动化设备中的电机驱动电路，支持高效、精确的电机速度和方向控制。 - 家用电器：如空调、冰箱、洗衣机等家电中的电机驱动部分，提供可靠的功率切换能力。 3. 负载开关 - 在需要快速开启或关闭大电流负载的场景中，如LED照明系统或电动工具，该MOSFET可以作为高效的负载开关。 4. 电池管理系统（BMS） - 应用于电动车、储能系统或其他需要复杂电池管理的场合，用于电池充放电控制和保护。 5. 汽车电子 - 启停系统：支持汽车启停系统的高效能量管理。 - 车载充电器：用于电动汽车或混合动力汽车的车载充电器中，实现高效的电力转换。 - 辅助系统：如电动车窗、座椅加热器等辅助功能的功率控制。 6. 通信设备 - 在基站、路由器等通信设备中，用于电源模块或信号放大电路的功率管理。 特性优势 - 高耐压：1200V的额定电压使其适合高压应用场景。 - 低导通电阻：有助于减少功率损耗，提高效率。 - 快速开关特性：支持高频工作环境，适合现代高效电源设计。 总结来说，NGTB50N120FL2WG适用于需要高电压、低损耗和高效能功率转换的各种工业、消费电子及汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 118ns/282ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 1200V 100A 535W TO247IGBT 晶体管 1200V/50A FAST IGBT FSII |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 311nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB50N120FL2WG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB50N120FL2WG |
| SwitchingEnergy | 4.4mJ （开）， 1.4mJ （关） |
| TestCondition | 600V， 50A， 10 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB50N120FL2WGOS |
| 功率-最大值 | 535W |
| 功率耗散 | 535 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 256ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 100 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100A |
| 系列 | NGTB50N120FL2 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
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