Datasheet下载- 型号： FGP5N60LS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGP5N60LS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGP5N60LS价格参考。Fairchild SemiconductorFGP5N60LS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGP5N60LS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGP5N60LS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGP5N60LS 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于高电压、中等电流的功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效的能量转换与调节。 2. 电机控制：在小型电机驱动器中作为开关元件，实现对电机速度和方向的控制。 3. 照明系统：用于LED照明或 HID（高强度气体放电灯）驱动电路中，提供快速开关性能。 4. 消费电子产品：如电视、音响设备中的电源模块，实现小型化与高效能设计。 5. 工业自动化：在工业控制系统中作为功率开关，用于继电器替代或负载控制。 该器件具备高击穿电压（600V）、低导通电阻及良好的热稳定性，适合需要高频切换与节能设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 4.3ns/36ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 36A |
| 描述 | IGBT 600V 10A 83W TO220IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 18.3nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGP5N60LS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGP5N60LS |
| SwitchingEnergy | 38µJ （开）， 130µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 5A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 3.2V @ 12V，14A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 功率耗散 | 83 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 10 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 系列 | FGP5N60 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
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