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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8206NTF4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8206NTF4价格参考。ON SemiconductorNGB8206NTF4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGB8206NTF4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGB8206NTF4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8206NTF4 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - UGBT(超微型功率 MOSFET)系列。其应用场景主要包括以下领域: 1. 开关电源 (SMPS): NGB8206NTF4 适用于各种开关电源设计,包括适配器、充电器和 DC-DC 转换器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其能够高效地处理高频开关操作,降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。其低 Rds(on) 可减少导通损耗,从而提升电机驱动系统的整体性能。 3. 负载切换与保护: 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,NGB8206NTF4 可用于负载切换和过流保护电路,确保系统在异常情况下安全运行。 4. 电池管理: 该 MOSFET 适合用于电池管理系统中的充放电控制、电量监测和保护功能,特别是在便携式设备中,其紧凑的封装形式有助于节省空间。 5. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,NGB8206NTF4 可用作开关元件,实现恒流驱动和调光功能,同时保持高效率和稳定性。 6. 汽车电子: 尽管主要面向消费类市场,但该器件也可用于某些低功率汽车电子应用,例如车载信息娱乐系统、传感器接口和辅助功能控制。 总结来说,NGB8206NTF4 的主要优势在于其小尺寸封装、低导通电阻和高能效特性,非常适合需要紧凑设计和高性能表现的各种消费类电子产品及工业应用。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 150W D2PAK3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8206NTF4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V,9A,1 千欧,5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 390V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |