【未分类_IXDP20N60B】封装/厂家_IXDP20N60B中文资料_价格

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型号： IXDP20N60B
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXDP20N60B由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXDP20N60B价格参考。IXYSIXDP20N60B封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IXDP20N60B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXDP20N60B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXDP20N60B是一款高压高速功率MOSFET，属于IGBT和MOSFET单管类别。该器件额定电压为600V，连续漏极电流可达20A，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于高效率、高频率的电力转换场景。

主要应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、通信电源及大功率适配器中，实现高效DC-AC或DC-DC转换。  
2. 逆变器系统：适用于太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动逆变电路，支持高频工作，降低能量损耗。  
3. 电机控制：在交流电机驱动器和变频器中作为主开关元件，提供稳定可靠的功率控制。  
4. 照明电源：用于高强度放电灯（HID）、荧光灯电子镇流器等高电压照明系统。  
5. 感应加热设备：如电磁炉、工业加热装置，利用其快速开关能力实现高效能量传输。

IXDP20N60B采用TO-247封装，具有良好的热性能和电气绝缘性，适合在高温、高负载环境下运行。其内置反并联二极管有助于抑制电压尖峰，提升系统可靠性。综合来看，该器件适用于需要高耐压、大电流与高效率切换的工业与能源领域应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	-
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	40A
描述	IGBT 600V 32A 140W TO220ABIGBT 晶体管 20 Amps 600V
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	70nC
IGBT类型	NPT
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXDP20N60B-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXDP20N60B
SwitchingEnergy	900µJ （开）， 400µJ （关）
TestCondition	300V， 20A， 22 欧姆， 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2.8V @ 15V，20A
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-220AB
功率-最大值	140W
功率耗散	140 W
包装	管件
单位重量	2.300 g
反向恢复时间(trr)	-
商标	IXYS
在25C的连续集电极电流	32 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	500 nA
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	600V
电流-集电极(Ic)（最大值）	32A
系列	IXDP20N60B
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	600 V
集电极—射极饱和电压	2.2 V
集电极最大连续电流Ic	40 A