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Datasheet下载- 型号： RJP60F4DPM-00#T1
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RJP60F4DPM-00#T1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJP60F4DPM-00#T1由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJP60F4DPM-00#T1价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJP60F4DPM-00#T1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench 600V 60A 41.2W Through Hole TO-3PFM。您可以下载RJP60F4DPM-00#T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJP60F4DPM-00#T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号RJP60F4DPM-00#T1是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件适用于需要高耐压和低导通电阻的场景，常见应用包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），用于提高能源转换效率。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备、电动工具、风扇和泵的控制电路。 3. 照明系统：如LED驱动器，用于调节亮度和提升能效。 4. 消费类电子产品：如电视、音响、家电等内部电源模块。 5. 汽车电子：用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）及辅助电机控制。 该MOSFET具备良好的热稳定性和高可靠性，适合在中高功率应用中进行快速开关操作，有助于减小系统尺寸并提升整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 45ns/70ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJP60F4DPM-00#T1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 400V，30A，5 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.82V @ 15V，30A |
| 供应商器件封装 | TO-3PFM |
| 其它名称 | RJP60F4DPM00T1 |
| 功率-最大值 | 41.2W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PFM，SC-93-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 输入类型 | 标准 |
