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产品简介:
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IXYS品牌的IXGH10N100AU1是一款高电压、高频率的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管类型,适用于需要高效能功率转换的电子设备。该器件的漏源电压(VDS)可达1000V,漏极电流(ID)为10A,具备低导通电阻和快速开关特性,适合高频开关应用。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能量转换效率并减小电源体积。 2. 工业电源设备:如激光电源、高压测试设备等,要求高耐压与稳定性的场合。 3. 照明系统:用于高频镇流器或LED驱动电路,实现高效、稳定的电流控制。 4. 感应加热设备:如电磁炉、工业加热装置,利用其高频开关能力提升加热效率。 5. 电机驱动:适用于高压电机控制电路,如无刷直流电机驱动器。 6. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能转换系统,用于高效电能变换。 该MOSFET适合用于硬开关和软开关拓扑结构,具备良好的热稳定性和可靠性,广泛应用于工业控制、电力电子和新能源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 100ns/550ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 1000V 20A 100W TO247AD |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 52nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXGH10N100AU1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 2mJ (关) |
| TestCondition | 800V, 10A, 150 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 4V @ 15V,10A |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXGH) |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1000V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 输入类型 | 标准 |