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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N60FWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N60FWG价格参考¥14.45-¥15.38。ON SemiconductorNGTB30N60FWG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTB30N60FWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTB30N60FWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGTB30N60FWG的ON Semiconductor产品是一款高电压、大电流能力的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要应用于需要高效能功率转换的场合。该器件具有低导通压降和优化的开关特性,适用于中高功率应用。 其典型应用场景包括: 1. 工业电机驱动:用于变频器和伺服驱动器中,实现对电机速度和转矩的精确控制。 2. 逆变器系统:广泛应用于太阳能逆变器、储能系统逆变器等,将直流电转换为交流电供家庭或电网使用。 3. 电动汽车充电设备:作为功率开关,用于车载充电器或充电桩中的DC-AC或DC-DC转换电路。 4. 家电应用:如电磁炉、变频空调等高功率家电中的功率控制模块。 5. 电源管理系统:用于不间断电源(UPS)或工业电源系统中,实现高效能电能转换与管理。 该IGBT具备良好的热稳定性和可靠性,适合在较为严苛的环境条件下工作,是多种功率电子系统中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 81ns/190ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 167W TO247IGBT 晶体管 600V/30A IGBT NPT TO-247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 170nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB30N60FWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB30N60FWG |
| SwitchingEnergy | 650µJ (开), 650µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V,30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB30N60FWGOS |
| 功率-最大值 | 167W |
| 功率耗散 | 167 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 72ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
| 系列 | NGTB30N60FWG |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.45 V |