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  • 型号: HGTG30N60B3D
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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HGTG30N60B3D产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供HGTG30N60B3D由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGTG30N60B3D价格参考。Fairchild SemiconductorHGTG30N60B3D封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247。您可以下载HGTG30N60B3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGTG30N60B3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

36ns/137ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

220A

描述

IGBT 600V 60A 208W TO247

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

170nC

IGBT类型

-

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

HGTG30N60B3D

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

550µJ (开), 680µJ (关)

TestCondition

480V,30A,3 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.9V @ 15V,30A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

208W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

55ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

输入类型

标准

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