Datasheet下载- 型号： NGB8207BNT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8207BNT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8207BNT4G价格参考。ON SemiconductorNGB8207BNT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8207BNT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8207BNT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGB8207BNT4G的器件属于Littelfuse Inc.品牌，分类为晶体管中的IGBT或MOSFET单管，主要应用于电力电子领域。该器件具有高效率、低导通压降和快速开关特性，适用于需要高效能功率转换的场景。 典型应用场景包括：工业电机驱动、变频器、逆变器、电源管理系统、电焊设备、感应加热装置以及新能源汽车充电系统等。此外，NGB8207BNT4G也可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率控制模块，以实现对电能的高效转换与调节。 该器件的高可靠性和热稳定性使其在高温和高负载环境下仍能保持稳定运行，适合对系统效率和稳定性有较高要求的工业和汽车应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8207BNT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 4V，20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NGB8207BNT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 165W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 365V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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