Datasheet下载- 型号： STGW60H65DRF
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW60H65DRF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW60H65DRF价格参考。STMicroelectronicsSTGW60H65DRF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGW60H65DRF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW60H65DRF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW60H65DRF是一款集成了IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和反向并联二极管的功率器件，属于SiC（碳化硅）技术的混合模块。该器件主要应用于需要高效能、高可靠性和高频率开关的电力电子系统中。 典型应用场景包括： 1. 电动汽车（EV）充电系统：适用于车载充电器（OBC）和快速充电桩，提供高效率和高功率密度的设计能力。 2. 工业电机驱动：用于变频器和伺服驱动器中，实现对电机的高效控制，提升系统能效和动态响应。 3. 可再生能源系统：如光伏逆变器和储能系统，该器件支持高频率开关，有助于减小滤波器体积并提升整体效率。 4. UPS（不间断电源）：在高频UPS系统中，有助于实现更小体积和更高效率的电源转换。 5. 家电应用：如高端变频空调和洗衣机，提供更高的能效和更稳定的性能。 该器件具有低导通压降、低开关损耗和高热稳定性等特点，适合在高温和高电压环境下工作，是实现绿色能源和高效电力系统的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 85ns/178ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 650V 120A 420W TO247IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 217nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW60H65DRF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW60H65DRF |
| SwitchingEnergy | 940µJ （开）， 1.06mJ （关） |
| TestCondition | 400V, 60A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13166 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF252263?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 420W |
| 功率耗散 | 360 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 19ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 120 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120A |
| 系列 | STGW60H65DRF |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
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