Datasheet下载- 型号： FGB7N60UNDF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGB7N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGB7N60UNDF价格参考￥6.03-￥6.42。Fairchild SemiconductorFGB7N60UNDF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGB7N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGB7N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为FGB7N60UNDF的ON Semiconductor产品是一款600V、7A的超级结MOSFET，采用先进的UNIPIN™技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件主要用于高效率电源转换系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、适配器和充电器等应用场景。此外，它也适用于LED照明驱动电源、工业自动化设备电源及家电变频器等对能效和可靠性要求较高的场合。其高耐压与低损耗特性使其在高温环境下仍能稳定工作，提升系统整体效率与寿命。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 5.9ns/32.3ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 21A |
| 描述 | IGBT 600V 14A 83W D2PAKIGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 18nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGB7N60UNDF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGB7N60UNDF |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | 99µJ （开）， 104µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 7A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，7A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-263-3 |
| 功率-最大值 | 83W |
| 功率耗散 | 83 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 反向恢复时间(trr) | 32.3ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 14 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263AB (D2 PAK) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 10 uA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 14A |
| 系列 | FGB7N60UNDF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |
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