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STGW40H65DFB产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW40H65DFB由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW40H65DFB价格参考。STMicroelectronicsSTGW40H65DFB封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247。您可以下载STGW40H65DFB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW40H65DFB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW40H65DFB是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超结MOSFET(UGBT)系列,主要应用于高压、高效能的电力电子场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) STGW40H65DFB适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器和DC-DC转换器。其650V的耐压能力使其能够承受较高的输入电压,而低导通电阻(Rds(on))则有助于降低功率损耗,提高转换效率。 2. 太阳能逆变器 在光伏系统中,这款MOSFET可用于逆变器的核心电路,实现高效的直流到交流转换。其快速开关特性和低损耗特性可以显著提升逆变器的整体性能。 3. 电机驱动 该器件适合用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制。例如,在变频空调、洗衣机或电动工具中,它可以作为功率级开关元件,提供高效且可靠的性能。 4. 不间断电源 (UPS) 在UPS系统中,STGW40H65DFB可用于电池充放电管理以及输出电压调节,确保在断电情况下为设备提供稳定的后备电源支持。 5. 电动车充电器 随着电动汽车市场的增长,这款MOSFET可广泛应用于车载充电器和外部充电桩的设计中,以满足高效率和紧凑尺寸的需求。 6. PFC(功率因数校正)电路 在需要功率因数校正的应用中,如大型家电或工业设备,该MOSFET能够有效减少谐波失真并提高能源利用率。 总结来说,STGW40H65DFB凭借其卓越的电气特性和可靠性,非常适合于要求高效率、高频率和高可靠性的电力转换及控制应用领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 40ns/142ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 210nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGW40H65DFB |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 498µJ (开), 363µJ (关) |
TestCondition | 400V, 40A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,40A |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-14365 |
功率-最大值 | 283W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 62ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
输入类型 | 标准 |