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  • 型号: NGTG12N60TF1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG12N60TF1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTG12N60TF1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNGTG12N60TF1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTG12N60TF1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTG12N60TF1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NGTG12N60TF1G是一款MOSFET晶体管,属于超低功耗沟道场效应晶体管(UGBT)系列。该器件具有以下关键特性:耐压等级为600V、导通电阻(Rds(on))低至1.2Ω(典型值)、栅极电荷较小,适合高频开关应用。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):适用于各种开关模式电源设计,如AC-DC适配器、充电器和工业电源。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高效率并降低能耗。
   - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中,实现高效的电压转换。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。其快速开关能力和低损耗特性可优化电机运行性能,同时减少发热。

 3. 逆变器与变频器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中作为开关元件使用,支持高效的能量转换。
   - 适用于家用电器中的变频控制,例如空调压缩机、冰箱风扇等。

 4. 电磁阀与继电器驱动
   - NGTG12N60TF1G可用于驱动电磁阀或固态继电器,提供稳定可靠的切换功能,同时减少传统机械继电器的磨损问题。

 5. 电池管理系统 (BMS)
   - 在电动车、储能系统或便携式设备的电池保护电路中,用作充放电路径的开关,确保安全和高效的操作。

 6. 负载开关
   - 在消费类电子产品中,作为负载开关以实现动态功率分配,从而延长电池寿命并提升整体能效。

 7. 汽车电子
   - 虽然该型号未专门标注为车规级,但在非关键车载应用中(如灯光控制、座椅调节等),也可以发挥重要作用。

总之,NGTG12N60TF1G凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式,广泛应用于需要高效能量转换、低功耗以及高可靠性的各类场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

55ns/200ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

88A

描述

IGBT 600V 24A 54W TO-3PFIGBT 晶体管 600V 12A IGBT TO-3PF

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

84nC

IGBT类型

-

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG12N60TF1G-

mouser_ship_limit

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数据手册

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产品型号

NGTG12N60TF1G

SwitchingEnergy

-

TestCondition

300V, 15A, 30 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.6V @ 15V, 12A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

*

其它名称

NGTG12N60TF1GOS

功率-最大值

54W

功率耗散

54 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

在25C的连续集电极电流

24 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-3P-3 整包

封装/箱体

TO-3PF-3L

工厂包装数量

30

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

24A

系列

NGTG12N60TF1G

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.6 V

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