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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG12N60TF1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTG12N60TF1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNGTG12N60TF1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTG12N60TF1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTG12N60TF1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NGTG12N60TF1G是一款MOSFET晶体管,属于超低功耗沟道场效应晶体管(UGBT)系列。该器件具有以下关键特性:耐压等级为600V、导通电阻(Rds(on))低至1.2Ω(典型值)、栅极电荷较小,适合高频开关应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):适用于各种开关模式电源设计,如AC-DC适配器、充电器和工业电源。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高效率并降低能耗。 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中,实现高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动控制。其快速开关能力和低损耗特性可优化电机运行性能,同时减少发热。 3. 逆变器与变频器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中作为开关元件使用,支持高效的能量转换。 - 适用于家用电器中的变频控制,例如空调压缩机、冰箱风扇等。 4. 电磁阀与继电器驱动 - NGTG12N60TF1G可用于驱动电磁阀或固态继电器,提供稳定可靠的切换功能,同时减少传统机械继电器的磨损问题。 5. 电池管理系统 (BMS) - 在电动车、储能系统或便携式设备的电池保护电路中,用作充放电路径的开关,确保安全和高效的操作。 6. 负载开关 - 在消费类电子产品中,作为负载开关以实现动态功率分配,从而延长电池寿命并提升整体能效。 7. 汽车电子 - 虽然该型号未专门标注为车规级,但在非关键车载应用中(如灯光控制、座椅调节等),也可以发挥重要作用。 总之,NGTG12N60TF1G凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式,广泛应用于需要高效能量转换、低功耗以及高可靠性的各类场景中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 55ns/200ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 88A |
| 描述 | IGBT 600V 24A 54W TO-3PFIGBT 晶体管 600V 12A IGBT TO-3PF |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 84nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG12N60TF1G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTG12N60TF1G |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V, 15A, 30 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.6V @ 15V, 12A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | NGTG12N60TF1GOS |
| 功率-最大值 | 54W |
| 功率耗散 | 54 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 24 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-3PF-3L |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 24A |
| 系列 | NGTG12N60TF1G |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |