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  • 型号: NGTG12N60TF1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NGTG12N60TF1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTG12N60TF1G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorNGTG12N60TF1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTG12N60TF1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTG12N60TF1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

55ns/200ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

88A

描述

IGBT 600V 24A 54W TO-3PFIGBT 晶体管 600V 12A IGBT TO-3PF

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

84nC

IGBT类型

-

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTG12N60TF1G-

mouser_ship_limit

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数据手册

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产品型号

NGTG12N60TF1G

SwitchingEnergy

-

TestCondition

300V, 15A, 30 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.6V @ 15V, 12A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

*

其它名称

NGTG12N60TF1GOS

功率-最大值

54W

功率耗散

54 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

在25C的连续集电极电流

24 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-3P-3 整包

封装/箱体

TO-3PF-3L

工厂包装数量

30

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

24A

系列

NGTG12N60TF1G

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.6 V

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