Datasheet下载- 型号： RJH60F7BDPQ-A0#T0
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJH60F7BDPQ-A0#T0由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJH60F7BDPQ-A0#T0价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJH60F7BDPQ-A0#T0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RJH60F7BDPQ-A0#T0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJH60F7BDPQ-A0#T0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的型号为RJH60F7BDPQ-A0#T0的器件属于晶体管中的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，具体为单管结构。该器件具有高效率和快速开关特性，适用于对功率控制要求较高的场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源适配器等设备中，实现高效的电能转换与稳定输出。 2. 电机驱动：在电动工具、工业自动化设备及电动车控制系统中作为开关元件使用。 3. 照明系统：如LED驱动电路中，用于调节亮度或提升能效。 4. 消费电子：应用于笔记本电脑、平板等便携设备的内部电源管理模块。 5. 工业控制：用于PLC、变频器等工业设备中进行信号处理与功率控制。 该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，适合在中高功率应用中替代传统双极型晶体管（BJT），提高系统效率并减小体积。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 63ns/142ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJH60F7BDPQ-A0#T0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 400V，30A，5 欧姆，15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.75V @ 15V，50A |
| 供应商器件封装 | TO-247A |
| 其它名称 | RJH60F7BDPQA0T0 |
| 功率-最大值 | 328.9W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 25ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 90A |
| 输入类型 | 标准 |
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