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详细数据请看参考数据手册
- 型号： STGWT60H65FB
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT60H65FB由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT60H65FB价格参考。STMicroelectronicsSTGWT60H65FB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGWT60H65FB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGWT60H65FB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STGWT60H65FB是一种MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： STGWT60H65FB适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高耐压能力（650V）和低导通电阻特性使其在高效能开关应用中表现出色。 2. 电机驱动： 该器件可用于驱动中小型电机，例如家用电器、工业设备中的直流无刷电机（BLDC）或步进电机。其快速开关速度和低损耗有助于提高电机控制效率。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器和其他电力逆变器中，STGWT60H65FB可以作为关键功率开关元件，用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效运行。 4. 电池管理系统（BMS）： 该MOSFET适合用于电池保护电路中，提供过流保护和负载切换功能，确保锂电池组的安全性和稳定性。 5. LED照明驱动： 在大功率LED照明系统中，此器件可用作驱动开关，实现恒流控制，保证LED亮度稳定并延长使用寿命。 6. 电动车充电站： STGWT60H65FB能够应用于电动车充电桩内的功率转换模块，支持快速充电需求，同时保持较低的能量损耗。 7. 家电产品： 包括空调、洗衣机等需要高效功率管理的家电设备，该MOSFET可优化能源利用效率，降低运行成本。 总结来说，STGWT60H65FB凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于需要高性能功率转换与控制的各种领域，特别是在需要高压操作和高效能量传输的场景下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 51ns/160ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3LIGBT 晶体管 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 306nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT60H65FB- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGWT60H65FB |
| SwitchingEnergy | 1.09mJ （开）， 626µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 60A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-14233-5 |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGWT60H65FB |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |
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