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Datasheet下载- 型号： STGW60H65F
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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STGW60H65F产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW60H65F由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW60H65F价格参考。STMicroelectronicsSTGW60H65F封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 沟槽型场截止 650V 120A 360W 通孔 TO-247。您可以下载STGW60H65F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW60H65F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 65ns/180ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 650V 120A 360W TO247IGBT 晶体管 60A 650V FST IGBT Very High Switching |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 217nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW60H65F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW60H65F |
| SwitchingEnergy | 750µJ （开）， 1.05mJ （关） |
| TestCondition | 400V, 60A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-12422 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF252260?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 360W |
| 功率耗散 | 360 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 120 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120A |
| 系列 | STGW60H65F |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
