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  • 型号: FGH40N65UFDTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N65UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N65UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40N65UFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH40N65UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N65UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FGH40N65UFDTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超低功耗沟道MOSFET(UGBT)系列,适用于多种高压和高效能应用场景。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   FGH40N65UFDTU具有高电压耐受能力(650V击穿电压)和低导通电阻特性,非常适合用于开关电源中的功率转换电路,例如AC-DC或DC-DC转换器。

2. 电机驱动  
   该器件可用于工业自动化和消费电子领域的电机驱动控制,如家用电器中的风扇、泵或压缩机驱动。其高效的开关特性和耐用性能够支持长时间稳定运行。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,这款MOSFET可以作为核心开关元件,实现直流到交流电的高效转换。

4. 电磁兼容性(EMI)滤波器  
   由于其快速开关速度和低开关损耗,FGH40N65UFDTU适合用于设计EMI滤波器以减少电磁干扰。

5. 电池管理系统(BMS)  
   在电动车、储能系统或便携式设备的电池管理中,此MOSFET可用作充放电路径的控制开关,确保电流流动的安全性和效率。

6. 固态继电器  
   替代传统机械继电器,利用MOSFET构建固态继电器,提供更长寿命、更高可靠性和更快响应时间。

7. 负载切换与保护  
   适用于需要频繁启停或保护电路免受过流、短路损害的场合,如汽车电子、通信设备等。

总结来说,FGH40N65UFDTU凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各类高压、高频及高效能需求的电力电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

24ns/112ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 650V 80A 290W TO247IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

120nC

IGBT类型

场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU-

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产品型号

FGH40N65UFDTU

PCN组件/产地

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SwitchingEnergy

1.19mJ (开), 460µJ (关)

TestCondition

400V, 40A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,40A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

290W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

45ns

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247AB-3

工厂包装数量

150

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

FGH40N65UFD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极最大连续电流Ic

80 A

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