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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40N65UFDTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40N65UFDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40N65UFDTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGH40N65UFDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40N65UFDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGH40N65UFDTU是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于超低功耗沟道MOSFET(UGBT)系列,适用于多种高压和高效能应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) FGH40N65UFDTU具有高电压耐受能力(650V击穿电压)和低导通电阻特性,非常适合用于开关电源中的功率转换电路,例如AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动 该器件可用于工业自动化和消费电子领域的电机驱动控制,如家用电器中的风扇、泵或压缩机驱动。其高效的开关特性和耐用性能够支持长时间稳定运行。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,这款MOSFET可以作为核心开关元件,实现直流到交流电的高效转换。 4. 电磁兼容性(EMI)滤波器 由于其快速开关速度和低开关损耗,FGH40N65UFDTU适合用于设计EMI滤波器以减少电磁干扰。 5. 电池管理系统(BMS) 在电动车、储能系统或便携式设备的电池管理中,此MOSFET可用作充放电路径的控制开关,确保电流流动的安全性和效率。 6. 固态继电器 替代传统机械继电器,利用MOSFET构建固态继电器,提供更长寿命、更高可靠性和更快响应时间。 7. 负载切换与保护 适用于需要频繁启停或保护电路免受过流、短路损害的场合,如汽车电子、通信设备等。 总结来说,FGH40N65UFDTU凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于各类高压、高频及高效能需求的电力电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 24ns/112ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 290W TO247IGBT 晶体管 N-ch / 40A 650V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40N65UFDTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGH40N65UFDTU |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | 1.19mJ (开), 460µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,40A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 290W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 反向恢复时间(trr) | 45ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AB-3 |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
| 系列 | FGH40N65UFD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 80 A |