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- 型号： IXGQ120N30TCD1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGQ120N30TCD1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGQ120N30TCD1价格参考。IXYSIXGQ120N30TCD1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXGQ120N30TCD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGQ120N30TCD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGQ120N30TCD1是一款高功率MOSFET器件，主要应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件结合了MOSFET的易驱动特性和双极型晶体管的低导通压降优势，适用于高电压和大电流工作环境。 其主要应用场景包括： 1. 工业电源和变换器：用于高频开关电源、DC-DC变换器、UPS不间断电源等，提供高效能的电能转换。 2. 电机驱动系统：适用于变频器和伺服驱动器，用于控制交流或直流电机的速度与扭矩，具有快速开关和低损耗特性。 3. 新能源领域：如太阳能逆变器和储能系统中，用于将直流电转换为交流电并网使用，具备良好的热稳定性和过载能力。 4. 电动汽车相关设备：可用于车载充电器、电驱系统或充电桩电源模块，满足高可靠性和高效率要求。 5. 焊接设备与感应加热：在高频焊接和感应加热电源中，实现高效能量传输和精确控制。 该器件采用TO-247封装，便于散热和安装，适用于多种高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
| 描述 | IGBT 300V 120A TO3P |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXGQ120N30TCD1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | - |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 120A |
| 输入类型 | 标准 |
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