Datasheet下载- 型号： STGWT40H65DFB
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT40H65DFB由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT40H65DFB价格参考。STMicroelectronicsSTGWT40H65DFB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGWT40H65DFB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGWT40H65DFB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STGWT40H65DFB是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT（超结功率MOSFET）类别，其主要应用场景包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：该型号适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。由于其高电压耐受能力和低导通电阻特性，能够高效地实现电力转换，降低能量损耗。 2. 电机驱动：在工业控制和家用电器领域中，这款MOSFET可用于驱动中小型电机。其快速开关特性和良好的热性能使其适合于需要频繁启停或调速的电机应用。 3. 逆变器：无论是太阳能逆变器还是其他类型的电力逆变器，STGWT40H65DFB都可以作为核心功率器件，用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效运行。 4. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，该MOSFET可以用于电池充电电路和逆变电路，确保在市电中断时提供稳定可靠的备用电源。 5. PFC（功率因数校正）电路：在需要提高功率因数的应用中，这款MOSFET可以用作升压开关，帮助减少谐波失真并提高能源使用效率。 6. 负载开关和保护电路：利用其快速响应能力，该器件还可以用作负载开关或过流保护元件，在异常情况下迅速切断电流以保护整个系统。 总结来说，STGWT40H65DFB凭借其650V的击穿电压、低导通电阻以及优秀的动态性能，非常适合应用于高频、高效率的电力电子设备中，尤其是在需要处理较大功率但同时要求紧凑设计的情况下。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 40ns/142ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3LIGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 210nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT40H65DFB- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGWT40H65DFB |
| SwitchingEnergy | 498µJ （开）， 363µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 40A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-14229-5 |
| 功率-最大值 | 283W |
| 功率耗散 | 283 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 62ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGWT40H65DFB |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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