Datasheet下载- 型号： STGD3NB60SDT4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGD3NB60SDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGD3NB60SDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGD3NB60SDT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGD3NB60SDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGD3NB60SDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STGD3NB60SDT4的器件属于IGBT（绝缘栅双极型晶体管），分类为晶体管 - IGBT、MOSFET - 单。该器件主要用于中高功率开关应用，具有600V的集电极-发射极耐压和较强的电流处理能力，采用先进的沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术，具备低导通损耗和优异的开关性能。 STGD3NB60SDT4广泛应用于以下场景： 1. 开关电源（SMPS）：适用于大功率AC-DC转换器，如工业电源、服务器电源等，能有效提升能效并降低热损耗。 2. 照明系统：用于电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动电路，提供稳定可靠的高频开关控制。 3. 电机驱动：常见于家用电器（如变频空调、洗衣机）和小型工业电机控制中，实现高效节能的变频调速。 4. 感应加热设备：如电磁炉、电热水壶等，利用其高频开关特性实现能量高效耦合。 5. 消费类与工业类逆变器：在小型太阳能逆变器或UPS（不间断电源）中作为核心开关元件。 该器件采用DPAK（TO-252）封装，便于散热和安装，适合紧凑型设计。其优化的抗雪崩能力和内置续流二极管增强了系统可靠性。总体而言，STGD3NB60SDT4是一款高性能、高可靠性的IGBT，适用于对效率和稳定性要求较高的中低功率电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 125µs/- |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 25A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 48W DPAKIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 18nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF68782?referrer=70032480 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGD3NB60SDT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGD3NB60SDT4 |
| SwitchingEnergy | 1.15mJ （关） |
| TestCondition | 480V, 3A, 1 千欧, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V，3A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-4109-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF68782?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 48W |
| 功率耗散 | 48 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 1.7µs |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 6 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 系列 | STGD3NB60SD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配用 | /product-detail/zh/STEVAL-ILH002V1/497-8214-ND/1886630 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 6 A |
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