Datasheet下载- 型号： STGW20H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW20H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW20H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGW20H60DF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGW20H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW20H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW20H60DF是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超结MOSFET（UGBT）类别，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：可用于控制各类电机（如步进电机、无刷直流电机等）的驱动电路中，提供高效、稳定的电流控制能力。 3. 太阳能逆变器：在光伏系统中，这款MOSFET可以用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，支持高效的能量转换。 4. 电动工具：适合应用于电动工具中的功率控制部分，确保工具运行时的高效率与可靠性。 5. 不间断电源（UPS）：作为关键组件之一，用于UPS系统的功率转换模块中，保障设备在断电情况下的持续供电。 6. 电动汽车及混合动力汽车：可用于车载充电器、DC/DC变换器以及辅助电源管理单元等领域，助力实现更高效的电力传输与控制。 7. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等场合，提供精准的功率控制解决方案。 得益于其高达600V的耐压值和极低的导通电阻（典型值为0.18Ω），STGW20H60DF能够在高频工作条件下保持优异性能，同时降低热损耗，非常适合需要高效率、高可靠性的电力电子应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 42.5ns/177ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 167W TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 115nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STGW20H60DF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 209µJ （开）， 261µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13958-5 |
| 功率-最大值 | 167W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 90ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 输入类型 | 标准 |
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