【未分类_STGB20NB37LZ】封装/厂家_STGB20NB37LZ中文资料_价格

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型号： STGB20NB37LZ
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STGB20NB37LZ由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB20NB37LZ价格参考。STMicroelectronicsSTGB20NB37LZ封装/规格：未分类，暂无。您可以下载STGB20NB37LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB20NB37LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STGB20NB37LZ是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超低功耗沟道晶体管（UGBT）系列。其主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：  
   该型号适用于各种开关电源设计，例如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少功率损耗。

2. 电机驱动：  
   STGB20NB37LZ可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关性能和稳定的电流控制能力。

3. 负载切换：  
   在消费电子设备中，这款MOSFET可以用于负载切换应用，如USB端口保护、电池管理等场景，确保快速响应和低功耗。

4. 逆变器与变频器：  
   适用于小型逆变器或变频器中的功率级控制，支持高效的能量转换和调制。

5. 汽车电子：  
   虽然该器件主要用于消费类电子产品，但在某些非关键汽车应用中（如车灯控制或座椅调节系统），也可以发挥其低功耗优势。

6. 信号放大与缓冲：  
   在需要低失真和高效率的信号处理场合，这款MOSFET能够提供良好的性能表现。

总之，STGB20NB37LZ凭借其优化的电气参数（如低Rds(on)、小封装尺寸和高可靠性），非常适合对能效和空间要求较高的便携式设备及紧凑型设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	2.3µs/2µs
产品目录	分立半导体产品
Current-CollectorPulsed(Icm)	80A
描述	IGBT 425V 40A 200W D2PAK
产品分类	IGBT - 单路
GateCharge	51nC
IGBT类型	-
品牌	STMicroelectronics
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	STGB20NB37LZ
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerMESH™
SwitchingEnergy	11.8mJ （关）
TestCondition	250V，20A，1 千欧，4.5V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2V @ 4.5V，20A
供应商器件封装	D2PAK
功率-最大值	200W
包装	带卷（TR）
反向恢复时间(trr)	-
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	50
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749
电压-集射极击穿（最大值）	425V
电流-集电极(Ic)（最大值）	40A
输入类型	标准