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  • 型号: IXBH5N160G
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXBH5N160G由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXBH5N160G价格参考。IXYSIXBH5N160G封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1600V 5.7A 68W Through Hole TO-247AD (IXBH)。您可以下载IXBH5N160G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXBH5N160G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

-

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

-

描述

IGBT 1600V 5.7A 68W TO247ADIGBT 晶体管 5 Amps 1600V

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

26nC

IGBT类型

-

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXBH5N160GBIMOSFET™

数据手册

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产品型号

IXBH5N160G

SwitchingEnergy

-

TestCondition

960V, 3A, 47 欧姆, 10V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

7.2V @ 15V,3A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247AD (IXBH)

功率-最大值

68W

功率耗散

68 W

包装

管件

单位重量

6.500 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

IXYS

商标名

BIMOSFET

在25C的连续集电极电流

5.7 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

1600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

5.7A

系列

IXBH5N160

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.6 kV

集电极—射极饱和电压

4.9 V

集电极最大连续电流Ic

6 A

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