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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IKD04N60R由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKD04N60R价格参考。InfineonIKD04N60R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IKD04N60R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IKD04N60R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制等领域。型号为IKD04N60R的器件属于晶体管中的MOSFET类别,具体是一款N沟道增强型高压功率MOSFET。 该器件的主要应用场景包括: 1. 电源管理:IKD04N60R适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器中,用于高效能电能转换,尤其适合高电压输入的应用场合。 2. 照明系统:在LED照明驱动电路中,该MOSFET可用于恒流控制和高频开关操作,提高灯具效率与寿命。 3. 电机控制:在小型电机或风扇控制电路中,作为功率开关使用,实现PWM调速等功能。 4. 消费类电子产品:如电视电源、充电器、机顶盒等设备中的功率开关元件。 5. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代方案或传感器供电模块中,提供可靠的高频开关性能。 该MOSFET具备较高的耐压能力(600V)和良好的导通电阻特性,适合需要高效率和紧凑设计的中低功率应用。由于其封装小巧且易于散热设计,也适合对空间有要求的产品设计。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 14ns/146ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 12A |
| 描述 | IGBT 600V 8A 75W TO252-3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 27nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IK04N60R_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304325afd6e0012631dc62a163df |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IKD04N60R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchStop® |
| SwitchingEnergy | 240µJ |
| TestCondition | 400V, 4A, 43 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,4A |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IKD04N60RINDKR |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 43ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 输入类型 | 标准 |