Datasheet下载- 型号： NGB18N40ACLBT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB18N40ACLBT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB18N40ACLBT4G价格参考。ON SemiconductorNGB18N40ACLBT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB18N40ACLBT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB18N40ACLBT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NGB18N40ACLBT4G 的晶体管属于 Littelfuse Inc. 旗下的功率 MOSFET 器件，主要应用于需要高效能、高可靠性的电源管理系统中。 该器件属于 N沟道增强型MOSFET，具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻（Rds(on)），适用于高效率功率转换系统。其典型应用场景包括： 1. 电源供应器（SMPS）：用于服务器电源、通信电源、工业电源等开关电源系统，实现高效的直流-直流（DC-DC）或交流-直流（AC-DC）转换。 2. 电机控制与驱动：适用于工业自动化、电机控制逆变器和电动工具等需要高频开关与高电流驱动能力的场景。 3. 汽车电子系统：如车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）等，满足汽车应用对高可靠性和高温度稳定性的要求。 4. 新能源系统：包括太阳能逆变器、储能系统等，用于功率调节和能量转换环节。 5. 工业自动化设备：如变频器、伺服驱动器等，提供高效、稳定的功率控制能力。 该MOSFET采用先进的封装技术，具备良好的热管理和电气性能，适合高功率密度设计，广泛应用于工业、汽车及通信领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 430V 18A 115W D2PAK3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB18N40ACLBT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 4V， 15A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 430V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 18A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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