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STGB10NC60HDT4产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB10NC60HDT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB10NC60HDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB10NC60HDT4封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 20A 65W 表面贴装 D2PAK。您可以下载STGB10NC60HDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB10NC60HDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGB10NC60HDT4是一款集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管的功率器件,属于晶体管中的IGBT类别,常用于高效率功率转换系统。该器件具有低导通压降和优化的开关损耗特性,适用于多种电力电子应用。 主要应用场景包括: 1. 工业电机驱动:如变频器、伺服驱动器,用于控制交流电机的速度与转矩,提升能效与动态响应。 2. 家电变频控制:常见于变频空调、洗衣机等家电中,用于实现高效节能的电机控制。 3. 电源转换系统:如UPS(不间断电源)、开关电源(SMPS),用于DC-AC或AC-DC转换,提高系统效率与可靠性。 4. 新能源应用:例如太阳能逆变器,用于将光伏板产生的直流电转换为交流电并入电网。 5. 电动汽车相关设备:如车载充电器、DC-DC转换器等,满足高效率、高可靠性的需求。 该器件采用高性能沟槽栅场截止(Trench FS)技术,具备良好的热稳定性和抗短路能力,适合中高功率密度设计。其封装形式(如TO-247)便于散热和安装,广泛适用于工业和消费类电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 14.2ns/72ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 30A |
| 描述 | IGBT 600V 20A 65W D2PAKIGBT 晶体管 N Ch 10A 600V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 19.2nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB10NC60HDT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGB10NC60HDT4 |
| SwitchingEnergy | 31.8µJ (开), 95µJ (关) |
| TestCondition | 390V, 5A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,5A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-6184-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF119297?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | 22ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 系列 | STGB10NC60HD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 20 A |