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- 型号： SGW5N60RUFDTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SGW5N60RUFDTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SGW5N60RUFDTM价格参考。Fairchild SemiconductorSGW5N60RUFDTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SGW5N60RUFDTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SGW5N60RUFDTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SGW5N60RUFDTM 是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压、高速功率MOSFET器件，属于超级结MOSFET系列，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件采用先进的Trench技术，具备600V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，适用于高效率、高频率的开关电源应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源转换器，如适配器、充电器、PC电源等，因其低导通损耗和快速开关特性，有助于提升能效并减小散热需求。 2. 照明电源：适用于LED驱动电源，特别是在高功率LED照明系统中，能够实现高效稳定的恒流输出，支持PFC（功率因数校正）电路设计。 3. 电机驱动：可用于小型工业电机、家用电器中的电机控制模块，提供可靠的高频开关能力，降低能耗。 4. 逆变器系统：在太阳能微逆变器或UPS（不间断电源）中作为主开关元件，提高系统转换效率和功率密度。 5. 消费类与工业类电源模块：因其小型化DFN8x8封装（可润湿侧翼），具备良好的热性能和空间利用率，适合对尺寸和散热要求较高的紧凑型设计。 SGW5N60RUFDTM凭借其高可靠性、低开关损耗和符合RoHS的环保特性，已成为现代高效电源系统中的优选器件，尤其适用于追求节能、小型化和高性能的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 13ns/34ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 15A |
| 描述 | IGBT 600V 8A 60W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 16nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SGW5N60RUFDTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 88µJ （开）， 107µJ （关） |
| TestCondition | 300V, 5A, 40 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V，5A |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 55ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 输入类型 | 标准 |
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