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产品简介:
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FGA90N30DTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压(300V)和大电流承载能力(90A)的特点,适合需要高效能和高可靠性的场合。 主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效的能量转换和调节。 2. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动工具和家电中的电机驱动电路。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,实现直流到交流的电能转换。 4. 照明系统:如高强度放电灯(HID)和LED照明的驱动电路中,提供稳定高效的电流控制。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制和电池管理系统中,满足汽车环境对可靠性和效率的高要求。 该器件采用TO-247封装,便于散热和安装,适用于高功率密度设计。其快速开关特性有助于提高系统效率,降低损耗,广泛应用于工业控制、能源管理和汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 220A |
描述 | IGBT 300V 90A 219W TO3P |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 87nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGA90N30DTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.4V @ 15V,20A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 219W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 21ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 90A |
输入类型 | 标准 |