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Datasheet下载- 型号： FGA25S125P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FGA25S125P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA25S125P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA25S125P价格参考。Fairchild SemiconductorFGA25S125P封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 1250V 50A 250W Through Hole TO-3PN。您可以下载FGA25S125P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGA25S125P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGA25S125P 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于晶体管中的IGBT类别，常用于高功率开关应用。该器件具有较高的电流和电压承受能力，适用于需要高效能与高可靠性的场合。 其主要应用场景包括： 1. 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器等，用于控制交流电机的速度和转矩。 2. 电源系统：如不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）中，作为主开关元件实现高效的能量转换。 3. 电焊设备：用于逆变式焊接电源，提高效率并减小设备体积。 4. 新能源领域：如太阳能逆变器、风力发电变流器等，用于将直流电转换为交流电并入电网。 5. 电动汽车充电设备：在充电桩或车载充电器中用于功率变换。 FGA25S125P采用TO-247封装，具备良好的热性能和导通/关断特性，适合高频开关操作，广泛应用于中高功率电力电子装置中。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 75A |
| 描述 | IGBT 1250V 50A 250W TO-3PNIGBT 晶体管 Shorted Anode IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 204nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGA25S125P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGA25S125P |
| PCN设计/规格 | |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.35V @ 15V， 25A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 250W |
| 功率耗散 | 250 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 50 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 25 V |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1250V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50A |
| 系列 | FGA25S125P |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1250 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.16 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 50 A |
