Datasheet下载- 型号： IXGR16N170AH1
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGR16N170AH1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGR16N170AH1价格参考。IXYSIXGR16N170AH1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXGR16N170AH1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXGR16N170AH1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGR16N170AH1是一款高性能的碳化硅（SiC）MOSFET器件，主要应用于需要高效能、高频率和高耐压的电力电子系统中。该器件具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热稳定性，适用于以下主要场景： 1. 工业电源与变频器：用于高频开关电源、UPS（不间断电源）、电机驱动和变频器系统，提升效率并减小系统体积。 2. 新能源领域：在光伏逆变器、储能系统和风能变流器中，该器件能有效提升能量转换效率，适应恶劣工作环境。 3. 电动汽车相关设备：用于车载充电器（OBC）、充电桩电源模块及电驱系统，满足高效率和高可靠性的要求。 4. 电力储能系统：适用于电池储能逆变器和能量管理系统，支持快速充放电和高效能量回馈。 5. 高频率电源转换器：如DC-DC转换器、谐振变换器等，利用其高频特性减小磁性元件体积，提升功率密度。 综上，IXGR16N170AH1适用于对效率、功率密度和可靠性要求较高的中高功率电力电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 36ns/200ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 1700V 16A 120W ISOPLUS247IGBT 晶体管 8 Amps 1700V 5.2 Rds |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 65nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGR16N170AH1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGR16N170AH1 |
| SwitchingEnergy | 900µJ （关） |
| TestCondition | 850V， 16A， 10 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 5V @ 15V，8A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS247™ |
| 功率-最大值 | 120W |
| 功率耗散 | 120 W |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | 150ns |
| 商标 | IXYS |
| 在25C的连续集电极电流 | 16 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOPLUS247™ |
| 封装/箱体 | ISOPLUS247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1700V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 16A |
| 系列 | IXGR16N170 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1.7 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 4.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 40 A |
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