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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB50N60L2WG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB50N60L2WG价格参考。ON SemiconductorNGTB50N60L2WG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTB50N60L2WG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTB50N60L2WG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGTB50N60L2WG的ON Semiconductor产品是一款高电压、大电流能力的MOSFET器件,主要应用于需要高效能功率转换的场合。该器件具备低导通损耗和良好的热性能,适用于以下几种典型应用场景: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高能量转换效率并减小系统体积。 2. 电机驱动:可用于工业自动化设备中的电机控制电路中,提供快速开关响应与稳定运行性能。 3. 照明系统:在LED照明或高强度放电灯(HID)镇流器中作为功率开关使用。 4. 消费电子产品:例如电视、音响设备中的电源部分,以实现更高效的能源利用。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统中,作为关键的功率开关元件,支持清洁能源的高效转换与管理。 总之,NGTB50N60L2WG凭借其优异的性能,在各类中高功率电子系统中具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 110ns/270ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 600V 50A TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 310nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGTB50N60L2WG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 800µJ (开), 600µJ (关) |
| TestCondition | 400V, 50A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,50A |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 500W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | 67ns |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100A |
| 输入类型 | 标准 |