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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRGB4064DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGB4064DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGB4064DPBF价格参考。International RectifierIRGB4064DPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRGB4064DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRGB4064DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRGB4064DPBF 是一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），属于单管MOSFET/IGBT类别，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗与BJT的低导通压降优势，具备良好的热稳定性和开关性能。 典型应用场景包括： 1. 电机驱动：适用于家用电器（如空调、洗衣机）和工业电机控制，实现高效节能的变频调速。 2. 开关电源（SMPS）：用于大功率电源系统，如服务器电源、通信电源和工业电源，提升转换效率并减少能量损耗。 3. 照明系统：在高强度气体放电灯（HID）、荧光灯电子镇流器中作为核心开关元件，提供稳定可靠的高频工作能力。 4. 逆变器设备：常见于太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，将直流电高效转换为交流电，支持清洁能源系统的运行。 5. 消费类电子产品：用于电磁炉、感应加热等家电产品，实现快速加热和精准功率调节。 IRGB4064DPBF 采用先进的沟道栅和场截止技术，具有较低的导通损耗和开关损耗，适合工作在较高频率下，同时具备较强的过载和短路耐受能力。其符合RoHS标准，封装形式便于散热设计，适用于紧凑型高功率密度应用。总体而言，该IGBT在兼顾性能与可靠性的中高功率场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 27ns/79ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 600V 20A 101W TO220ABIGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 21nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGB4064DPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRGB4064DPBF |
| SwitchingEnergy | 29µJ （开）， 200µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 10A, 22 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.91V @ 15V，10A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 101W |
| 功率耗散 | 101 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 62ns |
| 商标 | International Rectifier |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.91 V |
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