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  • 型号: STGB10NB37LZ
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGB10NB37LZ由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB10NB37LZ价格参考。STMicroelectronicsSTGB10NB37LZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGB10NB37LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB10NB37LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

1.3µs/8µs

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

40A

描述

IGBT 440V 20A 125W D2PAKIGBT 晶体管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

28nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB10NB37LZPowerMESH™

数据手册

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产品型号

STGB10NB37LZ

SwitchingEnergy

2.4mJ (开), 5mJ (关)

TestCondition

328V,10A,1 千欧,5V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.8V @ 4.5V,10A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-12592-5
STGB10NB37LZ-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC1131/PF64608?referrer=70071840

功率-最大值

125W

功率耗散

125 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

-

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

20 A

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-3

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

栅极/发射极最大电压

16 V

栅极—射极漏泄电流

700 uA

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

440V

电流-集电极(Ic)(最大值)

20A

系列

STGB10NB37LZ

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1.8 V

集电极—射极饱和电压

1.2 V

集电极最大连续电流Ic

20 A

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