Datasheet下载- 型号： FGB5N60UNDF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGB5N60UNDF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGB5N60UNDF价格参考￥5.00-￥5.32。Fairchild SemiconductorFGB5N60UNDF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGB5N60UNDF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGB5N60UNDF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGB5N60UNDF是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高压超结MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件额定电压为600V，连续漏极电流约4.7A（具体值视条件而定），具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高频率的功率转换应用。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源适配器、充电器、工业电源等，因其高耐压和低损耗特性，有助于提升能效并减小系统体积。 2. LED照明驱动电源：适用于中大功率LED路灯、商业照明等恒流驱动电路，支持高效率和高可靠性运行。 3. DC-DC转换器：在升压或降压拓扑结构中作为主开关元件，用于太阳能逆变器、电信电源等系统。 4. 电机控制与家用电器：可用于小型家电如空调、洗衣机中的电机驱动模块，实现节能与精准控制。 FGB5N60UNDF采用TO-220F封装，具备良好的热性能和绝缘能力，适合需要电气隔离的紧凑型设计。其优化的栅极电荷和反向恢复特性，可减少开关损耗，提高系统整体效率。综合来看，该型号适用于对能效、可靠性和空间布局有较高要求的中等功率电力电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 5.4ns/25.4ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 15A |
| 描述 | IGBT 600V 10A 73.5W D2PAKIGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 12.1nC |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGB5N60UNDF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGB5N60UNDF |
| SwitchingEnergy | 80µJ （开）， 70µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 5A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，5A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-263-3 |
| 功率-最大值 | 73.5W |
| 功率耗散 | 73.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 反向恢复时间(trr) | 35ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 10 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263AB (D2 PAK) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 10 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 系列 | FGB5N60UNDF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.4 V |
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