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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB50N60FWG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB50N60FWG价格参考。ON SemiconductorNGTB50N60FWG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGTB50N60FWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGTB50N60FWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NGTB50N60FWG的ON Semiconductor产品是一款高电压、大电流能力的功率MOSFET器件,主要应用于需要高效能功率转换和控制的场合。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理和电机控制等场景。 典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如AC/DC电源适配器、DC/DC转换器及开关电源(SMPS),该器件可提升系统效率并减小体积。 2. 电机驱动与控制:适用于工业自动化中的电机驱动器,提供稳定的功率输出与高效的能量利用。 3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路,具备良好的热稳定性和响应速度。 4. 家电控制:可用于变频空调、电磁炉等家用电器中,作为核心功率开关元件,实现节能与高性能控制。 5. 电动车相关应用:如电动自行车、低速电动车的电机控制器中,支持高频率开关操作,提高系统响应性。 该器件采用先进的工艺制造,具备良好的热性能和可靠性,适用于高温环境下工作。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 117ns/285ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 600V 100A 223W TO247IGBT 晶体管 600V/50A IGBT NPT TO-247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 310nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB50N60FWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB50N60FWG |
| SwitchingEnergy | 1.1mJ (开), 1.2mJ (关) |
| TestCondition | 400V, 50A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V, 50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB50N60FWGOS |
| 功率-最大值 | 223W |
| 功率耗散 | 223 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 77ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 100 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100A |
| 系列 | NGTB50N60FWG |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.45 V |