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IXGH50N90B2D1产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH50N90B2D1由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH50N90B2D1价格参考。IXYSIXGH50N90B2D1封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT PT 900V 75A 400W Through Hole TO-247AD (IXGH)。您可以下载IXGH50N90B2D1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH50N90B2D1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGH50N90B2D1是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET - 单的分类。该型号具有以下特点和应用场景: 主要参数 - 电压等级:900V,适用于高压环境。 - 电流能力:50A,适合高功率应用。 - 封装形式:通常为TO-247或其他工业标准封装,便于散热和安装。 - 开关速度:较快的开关速度,适合高频应用。 应用场景 1. 工业电源 用于开关电源、不间断电源(UPS)、逆变器等设备中,提供高效的电力转换和稳定的输出。 2. 电机驱动 在工业自动化领域,用于驱动直流电机、步进电机或伺服电机,实现精确的速度和位置控制。 3. 可再生能源系统 适用于太阳能逆变器、风能发电系统的功率转换模块,提高能量传输效率。 4. 电动汽车与混合动力汽车 用于车载充电器、DC-DC转换器以及电机控制器,支持车辆的电能管理和动力输出。 5. 焊接设备 在焊接机中作为核心功率器件,提供稳定的电流输出以保证焊接质量。 6. 家电与消费电子 用于高性能家用电器(如空调、冰箱压缩机)的变频控制,提升能效并降低噪音。 7. 照明系统 在LED驱动电路中,实现恒流驱动和调光功能,确保灯具亮度稳定且节能。 特点优势 - 高耐压能力,适合恶劣工作环境。 - 低导通电阻,减少功率损耗。 - 快速开关特性,适应高频应用需求。 - 良好的热性能,易于集成到复杂系统中。 综上所述,IXGH50N90B2D1适用于需要高电压、大电流及高效功率转换的各种工业、商业和消费类电子领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 20ns/350ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
描述 | IGBT 900V 75A 400W TO247ADIGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 135nC |
IGBT类型 | PT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGH50N90B2D1HiPerFAST™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXGH50N90B2D1 |
SwitchingEnergy | 4.7mJ(关) |
TestCondition | 720V, 50A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,50A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXGH) |
功率-最大值 | 400W |
功率耗散 | 400 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.500 g |
反向恢复时间(trr) | 200ns |
商标 | IXYS |
商标名 | HiPerFAST |
在25C的连续集电极电流 | 75 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 900V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
系列 | IXGH50N90 |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 900 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.2 V |
集电极最大连续电流Ic | 200 A |