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  • 型号: FGH50T65UPD
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FGH50T65UPD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FGH50T65UPD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH50T65UPD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH50T65UPD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 650V 100A 340W Through Hole TO-247。您可以下载FGH50T65UPD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH50T65UPD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的FGH50T65UPD是一款超结MOSFET(绝缘栅双极晶体管,UGBT),属于“晶体管 - UGBT,MOSFET - 单”类别。该型号具有以下关键特性:650V额定电压、50A最大电流、低导通电阻(Rds(on)),以及快速开关性能。这些特点使其适用于多种高功率和高频应用场景,以下是其主要应用领域:

1. 开关电源(SMPS)  
   FGH50T65UPD广泛应用于开关模式电源中,如AC-DC转换器、适配器和充电器。其高电压耐受能力和低导通电阻有助于提高效率并减少能量损耗。

2. 电机驱动  
   该器件适合用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制。它能够处理高电流和高电压,并支持高效的PWM(脉宽调制)控制。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器和其他电力转换系统中,FGH50T65UPD可用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗设计有助于提高逆变器的整体效率。

4. 不间断电源(UPS)  
   这款MOSFET适用于UPS系统中的功率转换电路,确保在市电中断时提供稳定的备用电源输出。

5. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)  
   FGH50T65UPD可用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器和牵引逆变器等电动汽车相关应用,支持高效的能量管理和动力传输。

6. PFC(功率因数校正)电路  
   在需要高功率因数的应用中,这款MOSFET可以用于升压PFC拓扑结构,以满足严格的能效标准。

7. 固态继电器和电子开关  
   其高可靠性和快速开关能力使其成为替代传统机械继电器的理想选择,适用于各种工业和消费类电子设备。

8. LED驱动器  
   在高功率LED照明应用中,FGH50T65UPD可用于驱动大功率LED阵列,提供稳定的电流输出并实现高效的能量管理。

总之,FGH50T65UPD凭借其高性能参数和可靠性,非常适合需要高效功率转换和控制的各种工业、消费和汽车应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

32ns/160ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

150A

描述

IGBT 650V 100A 340W TO-247ABIGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

230nC

IGBT类型

沟道和场截止

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH50T65UPD-

数据手册

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产品型号

FGH50T65UPD

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

SwitchingEnergy

2.7mJ (开), 740µJ (关)

TestCondition

400V, 50A, 6 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 15V,50A

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247

功率-最大值

340W

功率耗散

240 W

包装

管件

单位重量

6.390 g

反向恢复时间(trr)

53ns

商标

Fairchild Semiconductor

在25C的连续集电极电流

100 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

25 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

标准包装

30

电压-集射极击穿(最大值)

650V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100A

系列

FGH50T65UPD

输入类型

标准

集电极—发射极最大电压VCEO

650 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

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