| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXGH60N30C3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXGH60N30C3价格参考。IXYSIXGH60N30C3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXGH60N30C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXGH60N30C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXGH60N30C3是一款高性能的N沟道MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),尽管其分类常被归为IGBT/MOSFET单管,但该型号实际为高速功率MOSFET。它具有60A电流、300V耐压,采用先进的平面栅极技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。 该器件广泛应用于高效率电源转换系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC变换器、逆变器及电机驱动等场景。在工业控制领域,常用于PWM调速系统和高频率斩波电路;在新能源设备中,适用于太阳能逆变器和风能转换系统的功率级模块。此外,也常见于UPS不间断电源、焊接设备和感应加热装置中,发挥其高效、低损耗的优势。 由于其优异的动态性能和坚固的结构设计,IXGH60N30C3适合工作在高温、高负载环境中,能够提升系统整体效率并减少散热需求。通常配合驱动电路使用,需注意布局以减少寄生电感,确保可靠开关。 总之,IXGH60N30C3是一款适用于中高功率、高频开关应用的优质MOSFET,广泛服务于工业电子、能源转换和自动化控制系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 23ns/108ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 420A |
| 描述 | IGBT 300V 75A 300W TO247ADIGBT 晶体管 60 Amps 300V |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 101nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,IXYS IXGH60N30C3GenX3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXGH60N30C3 |
| SwitchingEnergy | 150µJ (开), 300µJ (关) |
| TestCondition | 200V, 30A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXGH) |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GenX3 |
| 在25C的连续集电极电流 | 75 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AD-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
| 系列 | IXGH60N30 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 420 A |