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STGF3NC120HD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGF3NC120HD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF3NC120HD价格参考。STMicroelectronicsSTGF3NC120HD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1200V 6A 25W Through Hole TO-220FP。您可以下载STGF3NC120HD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGF3NC120HD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGF3NC120HD是一款集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管的功率器件,属于晶体管中的IGBT类别,常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有较高的效率和可靠性,适用于多种电力电子系统。 主要应用场景包括: 1. 工业电机驱动:如变频器、伺服驱动器等,用于控制交流电机的速度与转矩。 2. 家电控制:例如变频空调、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。 3. 新能源领域:如光伏逆变器、储能系统等,用于将直流电转换为交流电并网使用。 4. 电动汽车相关设备:如车载充电器、充电桩等功率变换装置。 5. 电源系统:如不间断电源(UPS)、开关电源等需要高效能功率开关的场合。 该器件具备高耐压(1200V)、低导通压降和良好的热性能,适合在高温和高负载环境下稳定工作,是中高功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 15ns/118ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 20A |
| 描述 | IGBT 1200V 6A 25W TO220FPIGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 24nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF3NC120HDPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGF3NC120HD |
| SwitchingEnergy | 236µJ (开), 290µJ (关) |
| TestCondition | 800V, 3A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.8V @ 15V,3A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-4353-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC953/PF83578?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 功率耗散 | 25 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 51ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 6 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 6A |
| 系列 | STGF3NC120HD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.8 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 6 A |