Datasheet下载- 型号： IXST30N60BD1
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXST30N60BD1由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXST30N60BD1价格参考。IXYSIXST30N60BD1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXST30N60BD1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXST30N60BD1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXST30N60BD1是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单管结构，适用于高电压和高电流的应用场景。该器件具有600V的漏源击穿电压和30A的连续漏极电流能力，具备良好的导通特性和开关性能，适合用于高效率、高频开关的电力电子系统。 典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效能功率转换。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）或伺服电机控制中，作为功率开关使用。 3. 逆变器系统：如光伏逆变器、UPS不间断电源等，用于将直流电转换为交流电。 4. 工业自动化设备：用于工业控制系统的高功率负载开关，如电磁阀、加热元件等。 5. 电动车相关应用：如车载充电器、电池管理系统（BMS）中的功率控制部分。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热和安装，适用于中高功率等级的电路设计。其内置快速恢复二极管（RFD）特性，也有助于简化外围电路设计，提高系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 30ns/150ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 110A |
| 描述 | IGBT 600V 55A 200W TO268 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 100nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXST30N60BD1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 1.5mJ（关） |
| TestCondition | 480V， 30A， 4.7 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，55A |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 55A |
| 输入类型 | 标准 |
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