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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGA120N30DTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGA120N30DTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGA120N30DTU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGA120N30DTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGA120N30DTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FGA120N30DTU是一款N沟道MOSFET,广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FGA120N30DTU适用于开关模式电源的设计,如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其能够高效地处理高电流负载,同时降低功率损耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机控制中,该MOSFET可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他类型的电机。其耐压能力(300V)适合中高压电机应用。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,作为功率级开关元件。FGA120N30DTU的高耐压和低导通损耗特性使其成为这些应用的理想选择。 4. 负载切换 - 在需要频繁切换大电流负载的系统中,如汽车电子、工业自动化设备等,该MOSFET可实现高效的负载通断控制。 5. 电池管理系统(BMS) - 在电动汽车(EV)或储能系统的电池管理中,FGA120N30DTU可用于保护电路,防止过流、短路等问题。 6. 照明系统 - 用于LED驱动器或荧光灯电子镇流器中,提供高效稳定的电流控制,支持调光功能。 7. 消费电子产品 - 在家用电器(如空调、冰箱、洗衣机等)中,该MOSFET可用于功率转换和电机控制模块。 总结 FGA120N30DTU凭借其300V的击穿电压、低Rds(on)(典型值为120mΩ)以及TO-220封装带来的良好散热性能,非常适合中高压、中大功率的应用场合。其在效率、可靠性和成本之间取得了良好的平衡,是许多电力电子设计中的理想选择。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 300A |
描述 | IGBT 300V 120A 290W TO3P |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 120nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGA120N30DTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.4V @ 15V,25A |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 290W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 21ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 120A |
输入类型 | 标准 |