Datasheet下载- 型号： FGL35N120FTDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGL35N120FTDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGL35N120FTDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGL35N120FTDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGL35N120FTDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGL35N120FTDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGL35N120FTDTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 MOSFET 晶体管，属于 UGBT（超结功率 MOSFET）系列。其主要应用场景包括以下领域： 1. 开关电源 (SMPS) - FGL35N120FTDTU 的高电压耐受能力（1200V）和低导通电阻（典型值为 3.5Ω），使其非常适合用于开关电源的设计，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 - 它能够高效地处理高频开关操作，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动 - 该器件适用于工业电机驱动、伺服系统和其他需要高电压和大电流控制的场景。 - 其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动系统的效率和稳定性。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）中，FGL35N120FTDTU 可以用作主功率开关，实现直流到交流的高效转换。 - 高击穿电压和低 Rds(on) 特性确保了在高压环境下的可靠运行。 4. 电动车与电动工具 - 该 MOSFET 可用于电动车（如电动自行车、滑板车）以及电动工具（如电钻、割草机）的电机控制器中。 - 它能够承受高电压和大电流，同时提供高效的功率转换。 5. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 控制电路中，FGL35N120FTDTU 的快速开关速度和低开关损耗使其成为理想选择。 - 常见应用包括 LED 驱动器、加热器控制等。 6. 负载切换与保护 - 该器件可用于高电压负载的切换和保护电路中，例如工业设备中的负载管理。 - 其高可靠性设计能够在极端条件下保持稳定工作。 总结 FGL35N120FTDTU 凭借其出色的电气性能（1200V 耐压、3.5Ω 导通电阻、低栅极电荷）和紧凑的封装形式（TO-220），广泛应用于高电压、高效率的功率电子领域。它特别适合需要快速开关、低损耗和高可靠性的场景，如开关电源、电机驱动、逆变器和电动车等领域。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 34ns/172ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 105A |
| 描述 | IGBT 1200V 70A 368W TO264IGBT 晶体管 1200V 35A Trench IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 210nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGL35N120FTDTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGL35N120FTDTU |
| SwitchingEnergy | 2.5mJ （开）, 1.7mJ （关） |
| TestCondition | 600V, 35A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V，35A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 功率-最大值 | 368W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.756 g |
| 反向恢复时间(trr) | 337ns |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70A |
| 系列 | FGL35N120FTD |
| 输入类型 | 标准 |
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