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Datasheet下载- 型号： NGTB30N60FLWG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGTB30N60FLWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGTB30N60FLWG价格参考。ON SemiconductorNGTB30N60FLWG封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 60A 250W Through Hole TO-247。您可以下载NGTB30N60FLWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGTB30N60FLWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NGTB30N60FLWG是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个晶体管类别，特别适用于高压、高功率应用。以下是其主要应用场景： 1. 工业电源 NGTB30N60FLWG广泛应用于工业电源系统中，如开关电源（SMPS）。它能够承受高达600V的电压，适合用于需要高效能和可靠性的电源转换电路。该器件的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功耗，提高电源效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，这款MOSFET可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够快速切换状态，确保电机运行平稳，并且能够在高电流条件下保持较低的温升，延长设备寿命。常见的应用包括伺服电机、步进电机等工业自动化设备中的电机控制。 3. 太阳能逆变器 太阳能逆变器是将直流电转换为交流电的关键设备。NGTB30N60FLWG的高耐压特性和快速开关能力使其成为太阳能逆变器的理想选择。它可以在高电压环境下稳定工作，确保逆变器的高效运行，并减少能量损失。 4. 电动汽车（EV）及混合动力汽车（HEV） 在电动汽车和混合动力汽车的动力系统中，MOSFET用于电池管理系统、DC-DC转换器以及电机控制器等关键部件。NGTB30N60FLWG的高耐压和低导通电阻特性有助于提高系统的整体效率，降低能耗，同时确保在极端条件下的可靠性。 5. 不间断电源（UPS） 不间断电源系统需要在市电中断时迅速切换到备用电源。NGTB30N60FLWG可以用于UPS的逆变器和充电器电路中，提供高效的电力转换，确保在紧急情况下设备的正常运行。 6. 家电及消费电子 在一些高端家电和消费电子产品中，如空调、洗衣机等，这款MOSFET可以用于变频控制模块，实现更精确的功率调节，提升产品的性能和用户体验。 总结来说，NGTB30N60FLWG凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，在多个领域都有广泛的应用，尤其是在需要高效、可靠电力转换和控制的场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 83ns/170ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 250W TO247IGBT 晶体管 600V/30A IGBT LPT TO-247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 170nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGTB30N60FLWG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGTB30N60FLWG |
| SwitchingEnergy | 700µJ （开）， 280µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 15V，30A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | NGTB30N60FLWGOS |
| 功率-最大值 | 250W |
| 功率耗散 | 250 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 72ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 60 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | NGTB30N60FLWG |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
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