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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW60H65DF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW60H65DF价格参考。STMicroelectronicsSTGW60H65DF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGW60H65DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW60H65DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW60H65DF是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),属于晶体管中用于功率控制的器件,常用于高电压和高电流的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 工业电机驱动:适用于变频器、伺服驱动器和工业自动化系统,提供高效的功率转换和电机控制。 2. 新能源领域:广泛应用于太阳能逆变器和储能系统中,帮助实现直流电到交流电的高效转换。 3. 电动汽车与充电桩:可用于电动汽车的车载充电器(OBC)和充电桩系统,支持高效率的能量传输和管理。 4. 家电应用:如电磁炉、空气压缩机等高功率家电,用于提升能效和系统稳定性。 5. UPS不间断电源:在UPS系统中作为核心功率开关,实现稳定可靠的电源切换与输出。 该器件具有高耐压(650V)、大电流(60A)能力和优化的开关特性,适合高频开关应用,有助于减小系统体积并提高整体效率。其封装形式也有利于散热和高可靠性,适用于工业级工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 67ns/165ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 650V 120A 360W TO247IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 206nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW60H65DF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW60H65DF |
| SwitchingEnergy | 1.5mJ (开), 1.1mJ (关) |
| TestCondition | 400V, 60A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 15V,60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13105-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF253554?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 360W |
| 功率耗散 | 360 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 62ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 120 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 120A |
| 系列 | STGW60H65DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.1 V |